PCW BG

БЪЛГАРИЯ

Излезе бр. 11 2015 г. на сп. PCW България

Потребителски рейтинг: 5 / 5

Звезда активнаЗвезда активнаЗвезда активнаЗвезда активнаЗвезда активна
 

бр. 11 2015 г. На 11 ноември 2015 г. (сряда) излезе бр. 11 2015 г. на сп. Personal Computer World България. В компютърна индустрия всичко се развива и мени много бързо, но на физическо ниво самите принципи на работа на електронните чипове остават почти неизменни за дълги периоди от време, през които тече количествена еволюция, стъпка по стъпка — все повече мегахерци и мегабайти (преминаващи в гигахерци и гигабайти), все по-малко нанометри и ватове. Например принципът на действие на съвременната динамично опреснявана компютърна памет DRAM е изобретен още в средата на 70-те години на миналия век и пак тогава започва масовото производство на такива интегрални схеми. Впоследствие са се променяли производствени процеси, технологични размери, честоти, напрежения, интерфейси, буфери, архитектура и други подробности и параметри, но физически, на ниво отделен бит, модерната днешна оперативна памет DDR3 не се различава съществено от онази през 70-те.

Другият тип електронна памет, който се използва широко днес, енергонезависимата флаш-памет (на която са базирани познатите на всички ни USB стикчета, карти памет и SSD носители), представлява NAND интегрални схеми, чийто принцип на действие е открит през 80-те години на миналия век и пак тогава се появяват първите комерсиални чипове, въпреки че масовото им прилагане започва през 90-те. Оттогава досега NAND флаш чиповете еволюираха неимоверно, за да постигнат днешните си капацитети и бързодействие, но това е именно еволюция, защото физическата структура на отделния бит си остава същата, както в края на 80-те — макар и многократно миниатюризирана и оптимизирана.

С това дълго предисловие искам само да ви обърна внимание, че от четвърт век насам при електронната компютърна памет не се е появило нищо принципно ново, при все цялата динамичност на отрасъла.

Днес обаче имаме реална заявка за революция в областта. Новият тип памет 3D XPoint има обемна структура, вместо еднослойна като споменатите два. По-същественото обаче е, че комбинира техните достойнства: по бързодействие тя се доближава до DRAM, а в същото време е енергонезависима като NAND флаш — т. е. съхраняваните данни не се губят след изключване на захранването. Това открива огромни перспективи за промяна на днешната компютърна архитектура в посока заличаване на границата между оперативна памет и постоянни носители (твърд диск и SSD), например. Разбира се, ще минат поне няколко години, докато подобни идеи бъдат внедрени, но това неминуемо се случи. А сега можете да прелистите на стр. 52 и да научите повече подробности за принципа на действие на 3D XPoint. Приятно четене!

Дончо Николов